[发明专利]三维存储单元阵列、半导体器件及其制造方法

摘要

一种三维存储单元阵列包括垂直堆叠的多个第一导电线、垂直堆叠的多个第二导电线、及第一和多个第二台阶梯段。多个第一导电线及多个第二导电线沿着第一方向延伸。多个第二导电线设置在沿着第二方向距多个第一导电线一距离处。第一方向与第二方向正交。沿着第一方向，第一梯段设置在多个第一导电线的相对的端处且第二梯段设置在多个第二导电线的相对的端处。第一梯段及第二梯段包括沿着第一方向交替设置的多个着陆焊盘与多个连接线。沿着第二方向，多个着陆焊盘比多个连接线宽。沿着第二方向，第一梯段的多个着陆焊盘面对第二梯段的多个连接线且第二梯段的多个着陆焊盘面对第一梯段的多个连接线。