[发明专利]一种单芯片DAF胶带粘晶方法在审
| 申请号： | 202110663132.2 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113410164A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 梅志鹏;岳永豪;张宁 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李红霖 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单芯片DAF胶带粘晶方法，属于半导体封装技术领域，通过将待粘晶的单芯片贴附在经过预处理DAF胶带上，实现单芯片与DAF胶带的贴合，然后通过传统的粘晶工艺实现芯片与载体的紧密粘接。通过本发明的实施，有效解决了单芯片无法预先贴附DAF胶带进行粘晶的问题，从而解决了单芯片粘晶工艺中容易出现的溢胶、翻胶、胶层不均、空洞等问题。本发明方法是一种使用DAF胶带进行单芯片粘晶的新思路、新方法。应用本发明方法对于单芯片的粘晶，可以将底部空洞率控制在5％以内，胶层均匀性控制在10％，溢胶范围不超过20μm，杜绝翻胶的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 daf 胶带 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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