[发明专利]膜厚测定装置、成膜装置、膜厚测定方法、电子器件的制造方法及存储介质在审
| 申请号： | 202110675688.3 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113851386A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 佐藤祐希;小林康信;谷和宪 | 申请（专利权）人： | 佳能特机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 邓宗庆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及膜厚测定装置、成膜装置、膜厚测定方法、电子器件的制造方法以及存储介质。能够抑制从大型基板切出的基板的膜厚的测定精度降低。膜厚测定装置具备：基板支承构件，所述基板支承构件对将大型基板分割而得到的多个基板中的任一个基板进行支承；测定构件，所述测定构件对在支承于基板支承构件的基板上形成的膜的膜厚进行光学测定；以及控制构件，所述控制构件控制测定构件。取得构件取得与支承于基板支承构件的基板在分割前的大型基板中的部位相关的基板信息。控制构件基于取得构件取得的基板信息，决定测定构件的测定条件。 | ||
| 搜索关键词： | 测定 装置 方法 电子器件 制造 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
