[发明专利]一种三维存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 202110687113.3 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113437075B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 张坤;周文犀;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11548;H01L27/11568;H01L27/11556;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高天华;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种三维存储器及其制造方法。所述方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上依次形成牺牲层和叠层结构；形成贯穿所述叠层结构并延伸进入所述牺牲层的沟道结构，所述沟道结构包括存储膜和沟道层；刻蚀去除所述第一衬底和所述牺牲层以及部分所述存储膜，以暴露部分所述沟道层；依次形成掺杂半导体层和缓冲层，所述掺杂半导体层与所述沟道层接触；对所述缓冲层进行平坦化处理；形成贯穿所述缓冲层并延伸进入所述掺杂半导体层的源极触点。本申请的三维存储器具有高集成度和增强的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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