[发明专利]一种台面射频PIN二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110689168.8 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113437157B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 徐婷;马文力 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人： | 罗超;黄启兵 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体功率器件技术领域内的一种台面射频PIN二极管及其制备方法。该种台面射频PIN二极管，包括：N型重掺杂衬底，N型重掺杂衬底包括底层和顶层，顶层上方依次设置有高阻本征层和P型重掺杂层，在P型重掺杂层上表面设置有PtSi掺杂部；其中，顶层、P型重掺杂层、高阻本征层共同构成一个三层的柱形体；钝化层，设置于底层上方，钝化层包覆柱形体，钝化层在柱形体上方开设有通孔；在P型重掺杂层上方设有正面多层金属，正面多层金属穿过通孔与P型重掺杂层接触。该种台面射频PIN二极管在P型重掺杂层上表面设置有PtSi掺杂部，从而抑制表面电荷，提高产品可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 台面 射频 pin 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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