[发明专利]存储装置的制作方法在审
| 申请号： | 202110690213.1 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115513367A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 郭致玮;邱崇益 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储装置的制作方法包括下列步骤。在基底上形成多个存储单元。各存储单元包括第一电极、第二电极与存储材料层。第二电极在垂直方向上设置在第一电极之上，且存储材料层在垂直方向上设置在第一电极与第二电极之间。在存储单元上形成共形间隙壁层。在共形间隙壁层上形成非共形间隙壁层。形成第一开口在垂直方向上贯穿非共形间隙壁层的侧壁部分以及共形间隙壁层的侧壁部分。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
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