[发明专利]一种高纯度锡酸镉粉体及其制备方法有效
| 申请号： | 202110698372.6 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113371754B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 张君 | 申请（专利权）人： | 石久光学科技发展(北京)有限公司 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京八月瓜知识产权代理有限公司 11543 | 代理人： | 张峰 |
| 地址： | 102211 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及光伏发电半导体导电粉体领域，尤其是涉及一种高纯度锡酸镉粉体及其制备方法。包括以下步骤：将氢氧化镉粉体、氧化亚锡粉体与草酸溶液混合，升温干燥，有草酸镉、草酸锡生成；然后装入反应釜中，真空条件下升温，有锡酸镉和亚锡酸镉生成，草酸与氢氧化镉反应生成草酸镉，通入氧气继续升温，草酸镉分解放热，继续有锡酸镉和亚锡酸镉生成，亚锡酸镉再与氧气反应变为锡酸镉，冷却，得到锡酸镉粉体。本发明能够降低反应温度，对环境无污染，且反应完全，生成的锡酸镉颜色均匀，单相率生成高，没有结块问题，具有优异的导电性能，得到理想的单相微米级或纳米级锡酸镉粉末。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 锡酸镉粉体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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