[发明专利]薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管在审
| 申请号： | 202110702986.7 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113299559A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 刘凤娟;王东方;刘威;卢昱行;孙宏达;宁策;袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 李迎亚;姜春咸 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管的制备过程中需要较多数量的掩膜板的问题。本公开的薄膜晶体管的制备方法，包括：通过一次构图工艺，在基底上形成有源层；在有源层背离基底一侧沉积并形成栅极绝缘层；通过一次构图工艺，形成贯穿栅极绝缘层的第一过孔和第二过孔；第一过孔和第二过孔分别位于有源层的两端；通过一次构图工艺，在栅极绝缘层上形成第一电极、栅极和第二电极；第一电极通过第一过孔与有源层连接，第二电极通过第二过孔与有源层连接；栅极在基底上的正投影与有源层在基底上的正投影至少部分重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110702986.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
