[发明专利]半导体存储装置及其制作工艺有效
| 申请号： | 202110704388.3 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113437071B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 颜逸飞;赖惠先 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H10B41/40;H10B43/40 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈敏;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本揭露公开了一种半导体存储装置及其制作工艺，包括衬底、有源结构、浅沟渠隔离、以及多条字线。有源结构设置在衬底中，并且还包括第一有源区以及第二有源区。第一有源区包括多个有源区单元彼此平行并且沿着第一方向延伸，第二有源区设置在第一有源区外侧，环绕所有的有源区单元。浅沟渠隔离设置在衬底中，围绕有源结构。字线设置在衬底内，并与有源区单元交错。字线包括以第一间距排列的第一字线以及以第二间距排列的第二字线，其中，第二间距大于第一间距。藉此，可改善设置于外侧的位线触点的制程空间，同时可避免字线与位线直接导通。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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