[发明专利]功率半导体器件在审
| 申请号： | 202110704897.6 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113410208A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 陈超;张海泉;麻长胜;王晓宝;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L25/07 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 陈红桥 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体器件，包括：上桥臂单元包括第一功率金属箔片、第二功率金属箔片和第三功率金属箔片，其中，第三功率金属箔片上设置有对称分布的第一突出结构和第二突出结构，其上规律并且对称地排布有数量相同的第一功率半导体芯片，第一功率金属箔片与第三功率金属箔片相连，并且第二功率金属箔片与第三功率金属箔片相连；下桥臂单元包括第四功率金属箔片，在远离第三功率金属箔片的方向延伸设置有第三突出结构和第四突出结构，并且在靠近第一功率半导体芯片的位置设置有源极连接区域，其中，第三突出结构和第四突出结构上规律并且对称地排布有数量相同的第二功率半导体芯片。由此，能够有效地降低功率半导体器件内部的杂散电感。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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