[发明专利]一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质在审
申请号: | 202110712768.1 | 申请日: | 2021-06-25 |
公开(公告)号: | CN113589654A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 范泰安;韦亚一;粟雅娟;董立松 | 申请(专利权)人: | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 刘贺秋 |
地址: | 510535 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明能够提供一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质。该方法包括如下步骤:获取目标光刻胶的数据,目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据;根据该光刻胶空间数据对目标光刻胶占据的空间进行分割,以确定多个单元块。每个单元块上均设置有格点;根据光刻胶成分数据确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息,根据预设工艺参数和原始状态信息确定经过曝光后的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息;通过当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌;本发明能够提前预测出显影后的光刻胶形貌,以指导和优化实际光刻工艺,并有助于对新品种或新类型光刻胶的研发,推进研发进度和降低研发成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 优化 光刻 工艺 方法 装置 计算机 存储 介质 | ||
【主权项】:
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