[发明专利]忆阻器件、忆阻器件制作方法及显示面板在审
| 申请号： | 202110716898.2 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113488589A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 卢马才;冯铮宇 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 王红红 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种忆阻器件、忆阻器件制作方法及显示面板。忆阻器件包括：第一金属层；金属氧化物层；第二金属层；其中，金属氧化物层设置在第一金属层和第二金属层之间，第二金属层或金属氧化物层中掺杂有氢元素，第二金属层的吸收氢的能力大于第一金属层的吸收氢的能力；氢元素能够在第二金属层和金属氧化物层中往复移动；当氢元素自第二金属层移动至金属氧化物层中时，金属氧化物层处于第一状态；当氢元素脱离金属氧化物层时，金属氧化物层处于第二状态；处于第二状态的金属氧化物层的电阻大于处于第一状态的金属氧化物层的电阻。本申请实施例中的忆阻器件可以提高忆阻器件的读取速度以及器件准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
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