[发明专利]一种用于FinFET防穿通的固相源掺杂方法在审
| 申请号： | 202110718861.3 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113517195A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/225 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于FinFET防穿通的固相源掺杂方法，形成多个包含Fin结构的第一、第二结构；沉积覆盖Fin结构下端的层间介质层；侧墙层覆盖在未被层间介质层覆盖的Fin结构上端侧壁；对层间介质层进行回刻，沉积BSG层；帽层覆盖基底及Fin结构的BSG层和侧墙层；去除第二结构的BSG层和帽层；沉积覆盖第一、第二结构的PSG层，去除第一、第二结构顶部的PSG层；退火使Fin结构侧壁的BSG层、PSG层分别向与各自直接接触的Fin结构内部进行侧向扩散。本发明提出一种对ATP区域进行特殊的掺杂方法，其他诸如Fin结构底部或顶部的区域不含重掺杂；较低掺杂量的Fin结构顶部有利于获得较高沟道迁移率；较低掺杂量的Fin结构的底部有利于抑制自然热效应，并且有利于基底散热。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 finfet 防穿通 固相源 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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