[发明专利]成套硅基抗辐射高压CMOS器件集成结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110719199.3 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113451216B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 朱坤峰;张广胜;杨永晖;徐青;钟怡;钱呈;张培健;杨法明;裴颖;黄磊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28;H01L23/552;H01L27/02;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L27/092 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 刘念芝 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开一种成套硅基抗辐射高压CMOS器件集成结构及制造方法，器件集成结构包含：对称/非对称nLDMOS、对称/非对称pLDMOS、多晶高阻、MOS电容等器件。制造方法是在P型衬底上先形成N型埋层，生长外延层，在外延层上注入推阱形成N型和P型高压阱，其中N型高压阱形成nLDMOS漂移区和pLDMOS沟道，P型高压阱形成pLDMOS漂移区和nLDMOS沟道，生长抗辐射加固厚栅氧化层，匹配全流程工艺热预算，形成一种硅基抗辐射高压CMOS工艺平台。本发明制造的nLDMOS具有优异的抗总剂量辐射性能，辐射后器件具有极低器件漏电和较小阈值电压漂移量，解决了高栅压CMOS类产品辐射加固的工艺制造难题。 | ||
| 搜索关键词： | 成套 硅基抗 辐射 高压 cmos 器件 集成 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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