[发明专利]一种直接带隙GeSn增强型nMOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110720838.8 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113517348B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 刘伟峰;张栋;宋建军 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/165;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江区高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种直接带隙GeSn增强型nMOS器件，包括：衬底层、Ge虚衬底、调制Ge掺杂外延层、本征Ge隔离层、nMOS沟道层、本征三元合金异质帽层、氧化铪层、氮化钽层、源漏区、介质层、源电极、漏电极和钝化层；氧化铪层和氮化钽层形成栅极区；本征三元合金异质帽层的材料为Si |
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| 搜索关键词： | 一种 直接 gesn 增强 nmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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