[发明专利]一种基于放电等离子体辅助冷烧结制备ZnO陶瓷的方法在审
| 申请号： | 202110726142.6 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113354406A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 赵学童;陈祉伶;梁杰;康晟淋;杨丽君;成立;郝建;廖瑞金;龙宇丽;曾倩;孙健杰 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/64 |
| 代理公司： | 重庆晟轩知识产权代理事务所(普通合伙) 50238 | 代理人： | 王海凤 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于放电等离子体辅助冷烧结制备ZnO陶瓷的方法，该方法采用分析纯99.5％的ZnO粉末，取浓度为2mol/L，添加比～10wt％醋酸溶液与ZnO粉料进行混合，充分研磨均匀，倒入石墨模具，施加3.8‑50MPa压力，保压5min后，在真空环境下以50℃/min的速率升温加热至120‑300℃，保温5min。本发明采用放电等离子体辅助冷烧结的方式，得到高致密度的ZnO陶瓷，相对致密度高于98％，其晶粒生长活化能仅为78.8kJ/mol，约为传统高温烧结的三分之一，烧结耗能从传统烧结的78.76MJ降低到0.11MJ，晶界阻抗随烧结温度的升高而下降，从120℃烧结试样的9.82×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 放电 等离子体 辅助 烧结 制备 zno 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
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