[发明专利]通孔层的OPC热点的修补方法在审

专利信息
申请号: 202110728158.0 申请日: 2021-06-29
公开(公告)号: CN113376955A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 何大权;陈翰;张辰明 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36;G03F7/20
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 周耀君
地址: 201315*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种通孔层的OPC热点的修补方法,包括:输入初始OPC图形和热点标记图形;延伸和放大所述热点标记图形的中心线,以得到优化标记图形;选择与所述优化标记图形接触的所述初始OPC图形的边作为接触边,选择与所述接触边相邻的相邻边;向所述初始OPC图像的内部的方向扩展所述接触边,并且向所述初始OPC图形的外部的方向扩展相邻边,完成对OPC热点的修补。本发明可以修补通孔层的OPC热点,并且修补后不会产生新的OPC热点。
搜索关键词: 通孔层 opc 热点 修补 方法
【主权项】:
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