[发明专利]基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备、方法有效
申请号: | 202110729112.0 | 申请日: | 2021-06-29 |
公开(公告)号: | CN113445018B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 李方军;于春锋;张谦;彭岫麟 | 申请(专利权)人: | 山东三齐能源有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/20;C23C14/18;H05K9/00 |
代理公司: | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人: | 刘乃东 |
地址: | 250220 山东省济南*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备,沿着基材的输送方向,设备包括依次设置的上料升降装置、进料腔、真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2、出料腔以及下料升降装置,进料腔、出料腔中均设有破气阀,真空镀膜室Y1和真空镀膜室Y2相连通且两真空镀膜室保持相同的真空状态,设备还包括真空腔内传送机构、真空腔外传送机构、工艺气体系统以及抽气系统;本设备可实现对数量较多的基材进行连续镀膜作业,工艺参数调整简单方便。本发明还提出了一种基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备方法,使用该方法制备的屏蔽膜层,可用于笔记本外壳、电视机外壳、手机外壳等产品上做为屏蔽膜层,起到屏蔽电磁波、防止干扰、减少电磁波辐射的作用。 | ||
搜索关键词: | 基于 磁控溅射 屏蔽 导电 制备 设备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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