[发明专利]一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质在审
| 申请号： | 202110736052.5 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113409868A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 温靖康;蒋丁;鲍奇兵;王振彪;刘梦 | 申请（专利权）人： | 芯天下技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/16 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 黄家豪 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区园山街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法：在对NOR FLASH进行擦除操作时，错开对芯片中存储单元进行擦除操作的正高压和负高压的建立时间点和/或释放时间点；该方法包含了两个阶段的操作以降低擦除操作的损伤，两个阶段的操作单独使用或同时使用，均可有效地避免正高压与负高压之间产生过大的压差而损伤MOS器件，从而可有效降低NOR FLASH擦除过程中器件产生的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 擦除 损伤 方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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