[发明专利]对存储器进行编程的方法及存储器在审

专利信息
申请号: 202110737525.3 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN113571115A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 郭晓江;汤强;田野;吴真用;杜智超;姜柯;王瑜 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/34
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;高翠花
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种对存储器进行编程的方法:以第一编程电压对存储器进行第一次编程;验证第一次编程结果;统计第一次编程失败位数,并以第二编程电压对存储器进行第二次编程,第二编程电压大于第一编程电压;判断第一次编程的失败位数是否小于第一预设值,若否,则验证第二次编程结果;统计第二次编程的失败位数,并判断第二次编程的失败位数是否小于第二预设值,若否,则再次进行编程,直至失败位数小于第二预设值,其中,第二预设值小于第一预设值。本发明将第一预设值设置为较大的容值,根据第一次编程的失败位数是否小于第一预设值而判断编程是否成功,若成功,则不需要再进行第二次编程结果的验证,大大缩短了编程时间,且保证存储器的可靠性。
搜索关键词: 存储器 进行 编程 方法
【主权项】:
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