[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 202110743295.1 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN113410310A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 罗威扬;程潼文;詹佳玲;林木沧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件的制造方法。方法包含形成虚设栅极于半导体鳍片的通道部位上方；沉积氧化物层于虚设栅极以及半导体鳍片上方；沉积氮硅化物层于氧化物层上方；掺杂氮硅化物层以于氮硅化物层中形成富掺杂层；将富掺杂层中的掺杂物撞击至氧化物层中；将富掺杂层中的掺杂物撞击至氧化物层中之后，形成多个轻掺杂漏极区域于半导体鳍片的未覆盖部位；图案化氮硅化物层以及氧化物层以形成一对栅极间隙壁于虚设栅极的相对的两侧壁上，其中轻掺杂漏极区域中的一者的一顶部位所具有的掺杂浓度是高于该对栅极间隙壁中的一者的底部位所具有的掺杂浓度，轻掺杂漏极区域中的该者的底部位所具有的掺杂浓度是低于该对栅极间隙壁中的该者的底部位所具有的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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