[发明专利]存储器装置、半导体装置和相关方法在审
| 申请号： | 202110747503.5 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113611711A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 许诺;吴志强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11587 | 分类号： | H01L27/11587;H01L27/1159 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及存储器装置、半导体装置和相关方法。一种存储器装置包含存储器单元、第一导电线、第二导电线、第三导电线及第四导电线。存储器单元经布置成阵列。每一存储器单元包含晶体管及串联连接到晶体管的栅极端子的电容器。第一导电线在第一方向上延伸。每一第一导电线连接到布置于阵列中的相同列中的晶体管的栅极端子。所述第二导电线在所述第一方向上延伸。每一第二导电线连接到布置于所述阵列中的相同列中的晶体管的源极端子。所述第三导电线在所述第一方向上延伸。每一第三导电线连接到布置于所述阵列中的相同列中的晶体管的漏极端子。所述第四导电线在第二方向上延伸。每一第四导电线耦合到布置于所述阵列中的相同行中的所述电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 半导体 相关 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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