[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110756311.0 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113921605A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 西康一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供沟槽栅极的栅极绝缘膜的可靠性提高的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、栅极电极和多个沟槽栅极。半导体基板包含有源区域和配线区域。沟槽栅极从有源区域延伸至配线区域。该沟槽栅极在有源区域形成晶体管的一部分。栅极电极设置于配线区域，与沟槽栅极电连接。沟槽栅极的端部位于配线区域。栅极电极以将在沟槽栅极的端部形成的栅极接触部覆盖的方式设置。栅极电极经由栅极接触部而与沟槽栅极电连接。多个沟槽栅极仅沿一个方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110756311.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
