[发明专利]一种阶梯栅介质层结构及其制造方法

摘要

一种阶梯栅介质层结构及其制造方法，包括N+衬底、N‑外延层、P‑body扩散窗口、N+JFET扩散窗口、栅介质层、栅极多晶硅和栅源隔离层；本发明涉及一种提高MOSFET抗单粒子栅穿能力的阶梯栅介质层结构和制造方法，在单元结构中增加N+JFET区，利用硅中掺杂浓度越高则硅表面热氧生长越快这一理论，按栅介质层生长工艺条件，N+JFET区上的栅介质层厚度可以生长到而P‑body沟道区的栅介质层厚度则为阶梯结构的栅介质层，沟道区为薄氧，确保器件的总剂量性能不受影响；JFET区为厚氧，提高了栅介质击穿电压，进而提高了器件的抗单粒子栅穿能力。