[发明专利]相变存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 202110765596.4 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113594200A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高天华;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法，包括：由下至上依次形成层叠设置的第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层；形成贯穿第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层的第一隔离结构；其中，第一隔离结构沿第一方向延伸；形成贯穿第一牺牲条、第二电极条、第一功能条、第一电极条的第二隔离结构，第二隔离结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸；去除第一牺牲块，形成第一沟槽；在第一沟槽中形成第二功能层；在第二功能层上依次形成层叠设置的第三电极层和第二导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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