[发明专利]下降沿延迟电路、上升沿延迟电路以及存储器在审
| 申请号： | 202110765926.X | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115589220A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 胡俊;陈立刚;刘铭 | 申请（专利权）人： | 合肥格易集成电路有限公司;兆易创新科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/135 | 分类号： | H03K5/135;G11C7/22 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种下降沿延迟电路和上升沿延迟电路。该下降沿延迟电路包括：第一反相器、第二反相器、第一电容、第二电容、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管；第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管串联在电源和地之间，第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管电连接第一反相器；第一电容连接第一反相器和第一NMOS晶体管之间；第二PMOS晶体管和第三NMOS晶体管串联在电源和地之间，第二PMOS晶体管和第三NMOS晶体管电连接第一NMOS晶体管；第四NMOS晶体管连接输入信号，漏端连接第二反相器的输入端；第二反相器的输入端电连接第二PMOS晶体管。该电路能够在电源电压不同时提供基本一致的延迟时间。 | ||
| 搜索关键词： | 下降 延迟 电路 上升 以及 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥格易集成电路有限公司;兆易创新科技集团股份有限公司，未经合肥格易集成电路有限公司;兆易创新科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110765926.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
