[发明专利]隔离型NLDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110767262.0 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113611733A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 段文婷;刘冬华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种隔离型NLDMOS器件，在P型半导体衬底上形成有一个第一深阱离子注入区和多个第二深阱离子注入区以及P型阱；第一深阱离子注入区和最靠近漏区的第二深阱离子注入区之间具有第一间距；第一深阱离子注入区和各第二深阱离子注入区经过热推进后会整体连通并形成N型深阱；由P型阱的第二侧面到漏区之间的N型深阱组成漂移区；各第二深阱离子注入区之间具有第二间距且各第二深阱离子注入区形成的整体结构将P型阱包围；通过设置第二间距来降低N型深阱对P型阱的P型浓度的影响并使P型阱的P型净掺杂浓度增加。本发明还公开了一种隔离型NLDMOS器件的制造方法。本发明能提高器件的击穿电压，同时保证对体区和半导体衬底之间的良好隔离效果。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 nldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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