[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202110767947.5 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113675145B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 元大中 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，所述形成方法，在所述导电连接结构的侧壁上形成牺牲侧墙后，在所述牺牲侧墙表面上形成外部侧墙材料层；对所述外部侧墙材料层进行穿孔处理，在所述外部侧墙材料层中形成暴露出牺牲侧墙表面的针孔；通过所述针孔去除所述牺牲侧墙，形成空气隙；形成封闭所述针孔的盖层。由于外部侧墙材料层形成的针孔可以位于外部侧墙材料层中的多个位置，因而通过若干针孔，刻蚀溶液可以从多个位置对所述牺牲侧墙进行去除，从而可以很干净的去除所述牺牲侧墙，防止或减少牺牲侧墙材料的残留，进而增大形成的空气隙的大小，更有利于减小导电连接结构的寄生电容，提高器件的性能(比如DRAM的读写性能)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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