[发明专利]一种超大尺寸铌酸锂单晶的生长方法有效
| 申请号： | 202110768733.X | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113529170B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 孙德辉;王蒙;韩文斌;刘宏 | 申请（专利权）人： | 山东恒元半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/36 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 | 代理人： | 薛鹏喜 |
| 地址： | 271199 山东省济南市莱芜高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超大尺寸铌酸锂单晶的生长方法，包括以下步骤：(1)采用提拉法制备小尺寸晶体；在小尺寸晶体生长结束后提拉一段细颈；在细颈提拉结束后，进入扩肩、等径和收尾阶段，完成超大尺寸铌酸锂单晶的生长；(2)超大尺寸铌酸锂单晶生长结束后，冷却，将超大尺寸铌酸锂单晶与细颈分离，获得超大尺寸铌酸锂单晶。本发明解决了提拉法制备超大尺寸铌酸锂单晶在扩肩时，由中心热量对流不利而导致的凹陷这一现象，将显著满足新一代声学芯片大规模量产最亟需的战略大尺寸晶体材料的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超大 尺寸 铌酸锂单晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
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