[发明专利]基于FDSOI的背偏压控制的芯片结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110769926.7 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113257779B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 高峰;叶甜春;罗军;赵杰 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/528;H01L25/07;H01L21/60;H01L21/50;H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 曹慧萍 |
| 地址： | 510535 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉半导体技术领域,公开了基于FDSOI的背偏压控制的芯片结构及其制造方法，包括第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆上设有第一芯片，第一芯片的最上层的金属连线层设有M个第一键合Pad；第二晶圆上设有第二芯片，第二芯片的最上层的金属连线层设有M个第二键合Pad；第一芯片第二芯片键合，当第一芯片与第二芯片键合后，M个第一键合Pad与M个第二键合Pad一一电性连接，本发明的芯片结构在实际使用时由于第一芯片和第二芯片通过键合的方式连接，而不是在平铺在底板上后通过金属线路连接，减少了第一芯片和第二芯片集成时所需要的面积，另外本发明通过在第二芯片的背面制作FDSOI晶体管的背压控制电路，从而大大地节省了芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 fdsoi 偏压 控制 芯片 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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