[发明专利]一种功率器件的制备方法及功率器件在审
| 申请号： | 202110775340.1 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113658866A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡政原 | 申请（专利权）人： | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种功率器件的制备方法及功率器件，首先在衬底上形成外延层，然后对外延层依次进行沟道掺杂和源极掺杂，并对掺杂后的器件进行刻蚀形成沟槽，以在沟槽两侧均形成沟道掺杂区和源极掺杂区；其中，沟道掺杂区位于源极掺杂区与外延层之间，沟槽的深度大于掺杂区的深度，从而在形成沟槽之前完成离子掺杂注入，避免了沟槽刻蚀之后进行离子掺杂所造成的沟道离子掺杂稳定较低、容易导致漏极到源极的漏电等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
