[发明专利]一种采用辐照技术制造的抗辐射双极晶体管的生产方法在审
申请号: | 202110777365.5 | 申请日: | 2021-07-09 |
公开(公告)号: | CN113421827A | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 洪学天;林和;牛崇实;黄宏嘉 | 申请(专利权)人: | 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/331 | 分类号: | H01L21/331;H01L21/263;H01L21/265 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 赵银萍 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区航城街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种采用辐照技术制造的抗辐射双极晶体管的生产方法,其方法包括:基于预设光刻工艺对双极晶体管进行处理,并形成欧姆接触区;基于欧姆接触区,通过目标类型的辐射对双极晶体管进行交替辐照,且将完成辐照后的双极晶体管在第一目标温度范围内进行第一退火处理;基于退火结果,对辐照后的双极晶体管平面注入氢离子,并将注入氢离子的双极晶体管在第二目标温度范围内进行第二退火处理;基于封装工艺,将处理完毕的双极晶体管切割成分立器件,且将分立器件安装到管壳中,并焊接引线,完成抗辐射双极晶体管的生产。提高器件的抗辐射性,实现在辐射状态下器件工作的稳定性与可靠性,相比传统工艺提高了生产效率,降低了成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 辐照 技术 制造 辐射 双极晶体管 生产 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造