[发明专利]一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构在审

专利信息
申请号: 202110780854.6 申请日: 2021-07-09
公开(公告)号: CN113675068A 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 彭青珍 申请(专利权)人: 彭青珍
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 050501 河北省石家庄*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构,包括底座、容器筒和旋转电机,所述底座的凹陷处底壁安装有容器筒,所述底座的底壁安装有旋转电机,所述容器筒的顶部安装有两组双向电机,所述底座的顶部安装有送气箱,所述送气箱的正面安装有输送结构,所述送气箱的顶部安装有水泵,所述水泵的输出端安装有软管。本发明通过安装的水泵可往输送结构内部导入冷水,可降低其内部的原有温度,而后辅助以送气风机,可使容器筒迅速降温,风力传感器与送气风机、报警器之间电性连接,可对装置进行运行监测,送气筒可进行拆卸检修,其底部均匀设置有多组槽孔,其槽孔从上至下直径逐渐放大,可在一定程度上保证输气均匀。
搜索关键词: 一种 传感器 单晶硅 刻蚀 装置 送气 机构
【主权项】:
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