[发明专利]一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺在审

专利信息
申请号: 202110791535.5 申请日: 2021-07-13
公开(公告)号: CN113658879A 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 艾育林;田光伟 申请(专利权)人: 江西万年芯微电子有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 南昌洪达专利事务所 36111 代理人: 刘凌峰
地址: 335500 江西省上*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺,方法步骤为:(1)获取或测量芯片的焊盘材料及厚度信息;(2)在金线键合前,使用空劈刀,采用空打模式,设定一定方向使空劈刀摩擦芯片焊盘表面,根据步骤(1)获得的焊盘材料及厚度信息调整空劈刀的摩擦参数,保证空劈刀不过度摩擦而刮伤芯片;(3)在摩擦清洁后的焊盘上再完成金线键合操作。本发明工艺针对芯片焊盘存在沾污的情况,本发明的工艺方法可以快速、有效地解决芯片沾污问题,明显提高引线的键合拉力,对制程良率提升有显著作用,提高了封装器件的可靠性。
搜索关键词: 一种 芯片 沾污 开发 特殊 方式 生产工艺
【主权项】:
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