[发明专利]一种识别甘氨酸的分子印迹电化学传感器的制备方法在审
| 申请号： | 202110801603.1 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN113533460A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 陈栩诗;王俊森;陈浩东;周骏懿;王秉 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/30;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 浙江永航联科专利代理有限公司 33304 | 代理人： | 蔡鼎 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市钱塘*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及电化学传感器领域，公开了一种识别甘氨酸的分子印迹电化学传感器的制备方法，本发明先制备均匀的MWNTs‑CS纳米复合材料，然后将其滴在玻碳电极上得到MWNTs‑CS/GCE复合修饰电极，再利用循环伏安法，在MWNTs‑CS/GCE表面合成MIP分子识别元件，最后用磷酸盐缓冲液清洗后得到可检测甘氨酸含量的分子印迹电化学传感器。本发明首次利用MWNTs‑CS/GCE复合修饰电极，MWNTs‑CS纳米复合材料可以有效地修饰工作电极，可极大地增强电信号,制备具有优异电化学性能的新型传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 识别 甘氨酸 分子 印迹 电化学传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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