[发明专利]一种二维半导体材料晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110805312.X | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN115621322A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 彭雅琳;张广宇;杨蓉;杨威;时东霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L21/84;H01L21/86;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11521 | 代理人： | 刘丹妮 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种顶栅二维半导体材料晶体管、其制备方法及相应的CMOS工艺兼容的集成电路制备方法。所述结构的晶圆级顶栅晶体管可以实现优异的电学性能和极高的成品良率，且该结构的制备方法不涉及任何二维材料通常采用的干法或湿法转移过程，所采用的所有工艺均与当前CMOS集成电路工艺兼容，具有很高的实际应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 半导体材料 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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