[发明专利]蚀刻参数计算方法、装置、电子设备及存储介质在审
| 申请号： | 202110805362.8 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113670370A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈丽琴;刘湘龙;林楚涛 | 申请（专利权）人： | 广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司;宜兴硅谷电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01D21/02 | 分类号： | G01D21/02;H05K3/06 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黄广龙 |
| 地址： | 510663 广东省广州市广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蚀刻参数计算方法、装置、电子设备及存储介质，属于PCB技术领域。本发明的蚀刻参数计算方法包括获取目标蚀刻速率和目标蚀刻范围；获取待蚀刻的PCB的铜厚参数；确定蚀刻机的有效喷淋长度；根据目标蚀刻速率、目标蚀刻范围、铜厚参数和有效喷淋长度，计算出蚀刻线速值。这种蚀刻参数计算方法能够对蚀刻参数快速测量，时间成本和人工成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 参数 计算方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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