[发明专利]一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法在审
| 申请号： | 202110814247.7 | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN113539841A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 杜晶;徐亚平 | 申请（专利权）人： | 四川科尔威光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 成都市鼎宏恒业知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51248 | 代理人： | 罗杰 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，包括以下步骤：S1、在基片上覆盖种子层；S2、对种子层光刻后进行金层图形层电沉积；S3、对金层图形层光刻后覆盖进行Pt图形层；S4、对Pt图形层光刻后进行金锡合金层电沉积，并进行干法蚀刻、切割。在金层图形层外先覆盖Pt图形层，进而使特制的金锡电镀液通过电沉积的方式覆盖在Pt图形层上形成稳定的金锡合金层，提高生产工艺的精准度，大大减小贵金属浪费，将金锡合金集成在薄膜电路上，可以大大缩小光模块的体积，提高集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生产 制造 合金 薄膜 集成电路 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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