[发明专利]主被动器件垂直叠层嵌埋封装结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202110816260.6 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113270327B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈先明;冯磊;黄本霞;赵江江;洪业杰;王闻师 | 申请（专利权）人： | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/52;H01L21/56;H01L25/16;H01L23/31 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 俞梁清 |
| 地址： | 519175 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开主被动器件垂直叠层嵌埋封装结构及其制作方法，包括提供基板，将基板作为前一级结构体进行中间层和封装层加工，中间层加工：在前一级结构体上加工中间图形层，中间图形层包括特征金属块，特征金属块的边缘区域设置有空腔部，在中间图形层上层压和减薄以得到中间介质层，中间介质层位于空腔部内的部分形成支撑部；在中间介质层上加工封装层，封装层包括介质材料和牺牲金属块；进行蚀刻处理以得到封装腔以及在支撑部之间形成导流槽；在封装腔内贴装电子元器件，至少一个电子元器件承托于对应的支撑部；对封装腔进行封装处理。本发明能够将主被动器件封装在封装结构体内，缩小封装空间，有利于实现小型化设计。 | ||
| 搜索关键词： | 被动 器件 垂直 叠层嵌埋 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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