[发明专利]抑制锡晶须生长的后处理剂及其制备方法有效
| 申请号： | 202110820003.X | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113564653B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 孙沈良;黄海宾 | 申请（专利权）人： | 海宁市科泰克金属表面技术有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/48 | 分类号： | C25D5/48;C25D3/32 |
| 代理公司： | 嘉兴海创专利代理事务所(普通合伙) 33251 | 代理人： | 王曦 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制锡晶须生长的后处理剂其制备方法，其特征在于，包括如下按质量百分数计的各组分：0.1‑20wt％长链烷烃基亚磷酸，其碳原子数不少于4；0.1‑20wt％长链烷烃基亚磷酸酯，其碳原子数不少于4；余量为高沸点烷烃溶剂。本发明的抑制锡晶须生长的后处理剂及其制备方法，工艺简单，制备成本低，可有效抑制晶须生长速率。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 须生 处理 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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