[发明专利]一种超高纯净半导体级硫酸的制备方法在审
| 申请号： | 202110827954.X | 申请日： | 2021-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113460972A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王金城;隋希之;乔正收 | 申请（专利权）人： | 镇江润晶高纯化工科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B17/76 | 分类号： | C01B17/76;C01B17/52;C01B17/54;C01B17/50 |
| 代理公司： | 上海创开专利代理事务所(普通合伙) 31374 | 代理人： | 谢伟峰 |
| 地址： | 212000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高纯净半导体级硫酸的制备方法，依次包括如下步骤：原料回收预处理；浓缩废酸液除杂处理；浓缩废酸液加热处理；二氧化硫气体催化处理；三氧化硫气体吸收处理；稀释处理。该超高纯净半导体级硫酸的制备方法，可采用多种不同的工业废弃物如：废弃硫磺、硫化氢、二氧化硫、废硫酸、金属冶炼烟气或者石膏等等作为制作原料进行半导体级硫酸的生产，这种方式更加的环保和经济。经本发明方法获得硫酸主体含量达96‑98％，水含量、阳离子含量及阴离子含量均符合国际半导体设备和材料组织制定的化学材料12级标准，可用于半导体、大规模集成电路装配和加工过程中的清洗、光刻、腐蚀等方面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 纯净 半导体 硫酸 制备 方法 | ||
【主权项】：
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