[发明专利]一种碳化硅籽晶的镀膜方法在审
| 申请号： | 202110831010.X | 申请日： | 2021-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113546821A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | B05D1/36 | 分类号： | B05D1/36;B05D7/00;B05D3/02;B05D3/04;B05D3/10 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 赵君 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种碳化硅籽晶的镀膜方法，它属于碳化硅籽晶的镀膜技术领域。本发明要解决的技术问题为提高镀膜成品率。本发明将碳化硅抛光片的C面贴一层保护膜；匀胶机中通入保护气体，通过托盘吸住碳化硅抛光片贴有保护膜的一面；在碳化硅抛光片的Si面上涂具有碳化硅成分的胶水，然后通过匀胶机旋涂，得到一层薄膜上涂光刻胶，然后通过匀胶机旋涂，得到二层薄膜上涂具有石墨成分的胶水，然后通过匀胶机旋涂，得到三层薄膜，将具有三层薄膜的碳化硅抛光片，在置于恒温加热器中，加热后冷却至室温，得到一种碳化硅籽晶镀膜。本发明成品率高，不容易产生融化现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 籽晶 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
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