[发明专利]动态随机存取存储器小晶片结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110834125.4 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN114093872A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 陈文良 | 申请（专利权）人： | 爱普科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京威禾知识产权代理有限公司 11838 | 代理人： | 王月玲 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露提供一种DRAM小晶片结构。该种DRAM小晶片结构包含一第一混合键合结构、一DRAM介面结构及一第一DRAM核心结构。该第一混合键合结构具有一第一表面及一第二表面。该DRAM介面结构接触该第一混合键合结构的该第一表面。该第一DRAM核心结构接触该第一混合键合结构的该第二表面，且该DRAM介面结构是经该第一混合键合结构而与该第一DRAM核心结构电性连接。本揭露亦提供一种半导体结构及一种制造DRAM小晶片结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 晶片 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
