[发明专利]一种腔室漏率检测方法和一种集簇式半导体工艺设备在审
| 申请号： | 202110839855.3 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN115683482A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 曹光英 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G01M3/26 | 分类号： | G01M3/26;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种腔室漏率检测方法和一种集簇式半导体工艺设备，该集簇式半导体工艺设备包括传输平台和位于所述传输平台周围的腔室，所述腔室通过阀门与所述传输平台连接，各个腔室之间相互独立，所述方法包括：从所述传输平台和所述腔室中确定一个主腔室和所述主腔室的从属腔室；检测由所述主腔室和所述从属腔室组成的真空腔体的漏率。根据本发明实施例，可以检测出半导体工艺设备的腔室与平台连接处是否有漏气。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 腔室漏率 检测 方法 集簇式 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】：
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