[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110842710.9 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN115188815A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 吉冈启;洪洪;矶部康裕;杉山亨;小林仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/417 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供降低了输出电容的半导体装置，具备：基板；第一氮化物半导体层，设置于基板上；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层的上方，带隙比第一氮化物半导体层大；第一布线，设置于第二氮化物半导体层的上方，沿第一方向延伸；第一源极电极及第一栅极电极，设置于第二氮化物半导体层的上方并沿第二方向延伸，第一源极电极与第一布线电连接；及第一漏极电极，具有：沿第二方向延伸的第一至第三漏极布线及第一元件分离区域，在第三漏极布线上设置有包括第一孔、与第一孔相比距第三漏极布线的前端远的第二孔和与第二孔相比距第三漏极布线的前端远的第三孔的第一多个孔，第一孔与第二孔的第一距离比第二孔与第三孔的第二距离短。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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