[发明专利]一种带凹槽结构的肖特基二极管有效
| 申请号： | 202110843344.9 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113594264B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 洪学天;林和;牛崇实;黄宏嘉 | 申请（专利权）人： | 弘大芯源（深圳）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40;G06F17/11 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 赵银萍 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区航城街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带凹槽结构的肖特基二极管，包括：半导体衬底；半导体层，设置于半导体衬底上，半导体层的上表面依次开设有多个凹槽、第一限位槽和多个第二限位槽；肖特基势垒层，设置于半导体层上；第一接触层，设置于肖特基势垒层上，分别与肖特基势垒层和第一电极电连接；第二接触层，设置于半导体层上除肖特基势垒层之外的区域，与半导体层电连接。本发明的带沟槽结构的肖特基二极管，各凹槽形成肖特基二极管的有源区，在研究如何制造出反向漏电流较小的二极管时，只要改变各凹槽之间的距离进行测试即可，无需重新设计并制造出不同的二极管，一定程度上提升了研究的便利性且减少了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 凹槽 结构 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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