[发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统在审

专利信息
申请号: 202110846247.5 申请日: 2021-07-26
公开(公告)号: CN114078878A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 千相勋;金智焕;姜信焕;韩智勋 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/1157 分类号: H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;赵莎
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了半导体器件和包括其的数据存储系统。半导体器件包括:第一衬底;有源电路或无源电路,位于所述第一衬底上;第二衬底,位于所述有源电路或无源电路上方;栅电极,在第一方向上彼此间隔开地堆叠在所述第二衬底上;沟道结构,穿过所述栅电极并且在所述第一方向上延伸,并且每个所述沟道结构包括沟道层;分隔区域,穿过所述栅电极并且在第二方向上延伸;贯穿接触插塞,在所述第一方向上延伸穿过所述第二衬底并且将所述栅电极和所述有源电路或无源电路彼此电连接;以及阻挡结构,与所述贯穿接触插塞间隔开并且包围所述贯穿接触插塞,并且具有第一区域和第二区域,所述第一区域均具有第一宽度,所述第二区域均具有大于所述第一宽度的第二宽度。
搜索关键词: 半导体器件 包括 数据 存储系统
【主权项】:
暂无信息
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