[发明专利]一种低介电常数高熵薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202110846717.8 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113718330B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 娄晓杰;乔文婧 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/22;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李红霖 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及薄膜材料领域，具体涉及一种低介电常数高熵薄膜及其制备方法，本发明低介电常数高熵薄膜包括：SrTiO |
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| 搜索关键词： | 一种 介电常数 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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