[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110851183.8 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN115692414A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 张婷;张文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体的结构及其形成方法，方法包括：在衬底的顶部形成初始隔离层；在初始隔离层露出的第一鳍部和第一沟道鳍部的侧壁形成保护层；去除部分厚度的初始隔离层，露出第一鳍部的部分侧壁，剩余的初始隔离层作为第一隔离层；将第一隔离层和保护层露出的第一鳍部转化为第二鳍部，在第二器件区中，位于第二鳍部顶部的剩余第一鳍部作为第二沟道鳍部；在第一器件区的第一隔离层的顶部形成第二隔离层，第二隔离层和第一隔离层构成隔离层；去除保护层；去除第二器件区中的第二鳍部和第一器件区的第一鳍部；在隔离层的顶部形成横跨第一沟道鳍部和第二沟道鳍部的栅极结构。满足第一型晶体管和第二型晶体管对载流子迁移率的要求，提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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