[发明专利]一种反熔丝单元结构、制备方法及电极结构的制备方法在审
| 申请号： | 202110852260.1 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN115692372A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 郑若成;王印权;郑良晨;胡君彪;郝新焱;洪根深;宋思德 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨强 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种反熔丝结构，尤其是一种反熔丝单元结构、制备方法及电极结构的制备方法。一种反熔丝单元结构，包括上阻挡层和反熔丝膜层，所述上阻挡层设置在所述反熔丝膜层上，所述反熔丝膜层设置在二氧化硅介质层上，且位于钨塞柱的上方。本发明提供的一种反熔丝单元结构优化了反熔丝单元的底部结构，去除反熔丝单元结构的下极板阻挡层，使得反熔丝叠层腐蚀工艺容宽显著扩大，对工艺过程中的缺陷耐受能力增强，提升反熔丝单元结构的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反熔丝 单元 结构 制备 方法 电极 | ||
【主权项】：
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